Автор работы: Пользователь скрыл имя, 24 Октября 2011 в 21:34, реферат
Целью и задачей настоящей работы является изучение процесса статического уравновешивания. Известно, что с развитием научно технического прогресса, скорости вращения деталей машин возросли до нескольких десятков а в некоторых условиях сотен тысяч оборотов в мин. При таких скоростях даже незначительная неуравновешенная масса может привести к выходу из строя и даже аварии механизма или аппарата. Но здесь идет речь уже о динамической балансировке. Как промежуточная стадия динамической балансировки является статическая.
Искомая деформация eср. для некоторых типовых упругих элементов – балок и мембран – может быть определена на основе зависимостей, проводимых в соответствующих курсах или справочниках.
Отсутствие
частотных погрешностей
Анализ
уравнений движения, показывает, что
коэффициент динамичности
w0
> (8 ¸
10) w
(19)
где w0 – собственная частота упругой системы;
w -- частота исследуемого процесса (высшая учитываемая гармоническая составляющая).
Для упругих систем, отличающихся значительным затуханием (наличием трения, демпфирование, материал с большим внутренним трением), превышение собственной частоты над частотой исследуемого процесса может быть уменьшено до 3 – 4. В этом случае удается практически исключить инерционные погрешности и при собственной частоте упругого элемента расширить частотные пределы измерений.
Как отмечено было выше, широкое применение получили измерения разнообразных физических величин с помощью преобразователей, использующих тензорезисторы в качестве первичных (чувствительных) элементов. И если совсем недавно измерения с помощью тензорезисторов сопротивления считались достаточно грубыми, то с настоящее время электротензометрирование используется и при точных измерениях, вплоть до прецизионных. Так например, тензометрические преобразователи применяются при весо- и силоизмерениях.
При
весоизмерениях используются
В
НИКИМП разработан ряд
Серийный выпуск электротензометрических весов, сило- и весоизмерительных тензопреобразователей налажен на Киевском заводе порционных автоматов им. Ф.Э. Дзержинского (силоизмерительные бесклеевые тензопреобразователи типов ДСТБ-С, ДСТВ-С и др.) на Одесском заводе им. Старостина (тензометрические весы: крановые, бункерные и т.п., разработанные в ОПИ под руководством А.С. Радчика) и на Краснодарском заводе тензометрических приборов (силоизмерительные тензопреобразователи типа ТДС с чувствительным элементом в виде наклеенных полупроводниковых тензорезисторов)
Фирма “Simens” выпускает тензометрические силоизмерители высокой точности с упругими элементами в виде двух параллельных балок, используемые в торговых весах (предельные нагрузки от 13 до 600 кгс).
В статье [5] приводится описание силоизмерительного тензопреобразователя из монокристалла кремния, в котором используется интегральная микросхема. Также рассмотрен силоизмерительный преобразователь с чувствительным элементом из стеклоткани, на которую наклеены проволочные тензорезисторы. Эти преобразователи применяются для измерения малых нагрузок.
Современные
сило- и весоизмерительные
Для
измерения давлений широко
Для
измерения давлений
Мембранные
преобразователи давлений в
Если
из-за больших нагрузок или
недостаточной жесткости
Большое
влияние на качество работы
мембранного преобразователя
Тензочувствительные элементы могут быть выполнены в виде проволочных, фольговых или полупроводниковых тензорезисторов.
Расчет
чувствительности мембранного
а)
определяются изгибающие
б)
находятся деформации по
в)
определяются средние
Для
жестко заделанной по контуру
мембраны изгибающие моменты
в радиальном и тангенциальном сечениях
будут:
Мr = p/16 [R2 (1+m) - r2 (3+m)]; ü (20)
Mt
= p/16 [R2 (1+m) - r2 (3+3m)]; þ
где р – распределенное давление на мембрану;
m --коэффициент Пуассона для материала мембраны;
R – радиус мембраны;
r – радиус точки мембраны, для которой вычисляются Мr и Mt.
Соответствующие
напряжения sr и st и деформации er
и et
на поверхности мембраны в точке с радиусом
r находятся из зависимостей:
sr = 6Mr / t2 = 3p / 8t2 [R2 (1+m) - r2 (3+m)]; ü (21)
sr
= 6Mr / t2 = 3p / 8t2 [R2
(1+m)
- r2 (3+3m)]; þ
er = 1 / E (sr - mst); (22)
et
= 1 / E (sn
- mst),
(23)
где Е – модуль нормальной упругости для материала мембраны;
t – толщина мембраны.
Подставляя
в последние уравнения
er = (3p / 8t2) (1 - m2 / E) (R2 - 3r2); ü (24)
et
= (3p / 8t2) (1 - m2 / E) (R2 -
r2). þ
Для
мембраны, свободно опертой по
контуру, деформации в точке
с радиусом r можно найти по формулам:
er = (3p / 8Et2) [R2 (3 - 2m2) - r2 (3 - 3m2)] ü (25)
et = (3p / 8Et2) [R2 (3 - 2m2) - r2 (1 - m2)] þ
Дальнейшее
решение сводится к
Для
центрального профиля:
Dlд = 2 r0ò0 er dr = (3p / 4Et2 ) [r0 (1- m2) (r02 - R2) / Е ] ü (26)
eср
= (Dlд
/ lд )= (3p / 8Et2 ) [ (1- m2) / Е (R2
- r02)] þ
Собственная
частота в герцах (основной тон) жестко
заделанной мембраны определяется по
зависимости, полученной Ю.А. Шиманским:
f0
= 1,57 Ö
Eh3 / 12R4 m0 (1 - h2) (27)
где через m0 обозначена масса единицы площади мембраны.
Собственная
частота мембраны, свободно опертой
по кромкам,
f0
= 0,94 Ö
Eh3 / 12R4 m0 (1 - h2) (28)
В
некоторых случаях и
Подобное конструктивное решение является рациональным при быстропеременных нагревах мембраны, когда не удается обеспечить хорошую термокомпенсацию при расположении рабочего и компенсационного тензорезисторов на самой мембране.
Для
определения чувствительности
Если
в качестве дополнительного
er = (3F / 2pt2 ) [(1-m2) (ln R/r - 1) / E ] ü (29)