Идентификация параметров математических моделей полупроводниковых приборов (диода 1N4841, транзисторов КТ368А, КТ818Г, КП505А)

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 03 Мая 2012 в 17:34, курсовая работа

Краткое описание

Задачей данной курсовой работы было определение параметров математических моделей полупроводниковых приборов, таких как диод, биполярные и полевой транзисторы, закрепление и углубление теоретических знаний, а также получение навыков постановки и проведения эксперимента и грамотной обработки и трактовки его результатов.

Содержание работы

ВВЕДЕНИЕ
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ
Модели полупроводниковых диодов
Модели биполярных транзисторов
Модели полевых транзисторов
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ
Диод 1N4841
Маломощный транзистор КТ368А
Мощный транзистор КТ818Г
Полевой транзистор КП505А
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ 3

Содержимое работы - 1 файл

Мой курсач.doc

— 2.99 Мб (Скачать файл)