Автор работы: Пользователь скрыл имя, 06 Ноября 2011 в 17:27, реферат
Совокупность технологических операций, составляющих технологический маршрут производства тонкопленочных ГИС, включает в себя подготовку поверхности подложки, нанесение пленок на подложку и формирование конфигураций тонкопленочных элементов, монтаж и сборку навесных компонентов, защиту и герметизацию ГИС от внешних воздействий. Важное значение при создании ГИС имеют контрольные операции, а также подготовка производства: изготовление комплекта масок и фотошаблонов, контроль компонентов ГИС и исходных материалов.
Диэлектрические
пасты применяют для
Нанесение паст
производится на установке трафаретной
печати продавливанием пасты через
отверстие сетчатого трафарета.
Для изготовления
толстопленочных ГИС требуется
комплект трафаретов для нанесения
определенного пленочного слоя: проводникового,
одного или нескольких резистивных,
изолирующих и т.д. Каждому трафарету
соответствует определенный фотошаблон.
Основным элементом
трафарета является сетка из нейлона
или нержавеющей стали с
Очищенная подложка
устанавливается в держатель
подложки установки трафаретной
печати, сверху помещают держатель
трафарета с требуемым
Кроме трафаретной
печати можно наносить резистивные
пасты под давлением с помощью
пневматического дозатора.
После нанесения
производится сушка и вжигание пасты.
При сушке (120-2000 С) происходит удаление
летучих органических растворителей.
Лучше использовать инфракрасную сушку.
При других методах сушки на поверхности
слоя пасты может образоваться корка,
препятствующая выходу летучих веществ,
вследствие чего после вжигания пленка
может быть пористой и содержать раковины.
Сборка ГИС
заключается в установке на подложку
навесных компонентов и их электрическом
присоединении к пленочным
Пленочные конденсаторы
занимают большую площадь на подложке,
требуют нескольких циклов нанесения
и вжигания. Трудоемкость изготовления
толстопленочных конденсаторов ограничивают
их применение, поэтому в толстопленочных
ГИС чаще применяют навесные конденсаторы.
В толстопленочных ГИС обычно используют
пленочные резисторы.
Дискретные полупроводниковые
компоненты толстопленочных ГИС
имеют балочные, гибкие проволочные
и жесткие выводы. Монтаж навесных
компонентов на подложку производят
методом пайки мягким припоем
или с помощью токопроводящих
клеев.
Изготовленную
толстопленочную ГИС
Информация о работе Технология производства гибридынх интегральных микросхем