Полупроводниковые источники излучения в ВОСП

Автор работы: Пользователь скрыл имя, 15 Февраля 2012 в 23:20, реферат

Краткое описание

Отличительной особенностью полупроводников, выделяющей ил в отдельный класс материалов, является возможность управляемо изменять (инвертировать) тип их электропроводности. При этом диапазон изменения удельного сопротивления может достигать двадцати и более порядков. Именно эта особенность привела к созданию р-п-перехода и развитию полупроводниковой электроники и микроэлектроники.

Содержание работы

Введение………………………………………………………………. 3
Светоизлучающие диоды .…………………………………………… 4
Полупроводниковый лазер……………………………………………7
Список литературы………........................................…………............13

Содержимое работы - 1 файл

VOsP.doc

— 569.50 Кб (Скачать файл)

      Фотоны, сталкиваясь с электронами, отдают им кванты энергии. Получив дополнительную энергию, некоторые электроны, находящиеся  на энергетических уровнях в зоне проводимости, рекомбинируют с дырками  валентной зоны. Вновь возникают фотоны, но в отличие от спонтанных, они являются стимулированными (СТФ). Когерентные волны, распространяясь вдоль оси резонатора, будут отражаться от зеркал перпендикулярно их поверхности, и интерферировать между собой.

      Интерференцией  волн называется явление наложения волн, при котором происходит устойчивое во времени их взаимное усиление в одних точках пространства и ослабление в других в зависимости от отношения между фазами этих волн. Интерферировать могут только когерентные волны, которым соответствуют колебания, совершающиеся вдоль одного и того же или близких направлений.

      Длина резонатора выбирается такой, чтобы  на ней укладывалось целое число  полуволн:

                                               , где q=1,2,… - число полуволн    (4)

      В результате каждого «прохода» интенсивность  волны увеличивается, так как  число СТФ растет лавинообразно, а поскольку число электронно-дырочных пар в единице объема, не меняется, стимулированное излучение начинает преобладать над спонтанным. При некотором пороговом токе накачки спонтанное излучение окончательно подавляется, в резонаторе устанавливается стоячая волна, а сквозь полупрозрачные зеркала выходит поток когерентного излучения. Этот режим называют режимом генерации лазера.

      В резонаторах могут возбуждаться колебания только определенных длин волн и определенной структуры, образующие стоячую волну. Частоты этих колебаний называются резонансными или собственными частотами резонатора, а колебания модами резонатора. Резонатор лазера для системы оптической связи должен быть сконструирован таким образом, чтобы в нем сохранялось небольшое число мод, а остальные должны гаситься. Для этого резонаторы делаются открытыми.

      Конструкция ЛД Фабри-Перо (FP) с двойной гетероструктурой приведена на рисунке 6. 

        

      Рисунок 6 - Конструкция лазера с резонатором Фабри-Перо  

      При изменении величины тока накачки  в лазере происходит изменение спектрального  состава, что при модуляции тока накачки информационным сигналом приводит к динамическому уширению спектра и перескоку максимальной мощности излучения с одних мод на другие.

      Широкий спектр лазерных мод затрудняет процесс  передачи информационных сигналов по волоконно-оптическим линиям связи из-за дисперсии импульсов оптической мощности. Для преодоления этой проблемы разработаны различные конструкции одномодовых лазеров. Чаще других применяют лазеры типа РОС (DFB).

      В отличие от лазеров Фабри-Перо в  лазерах РОС положительная обратная связь, необходимая для генерации лазерного излучения, создается не за счет зеркал, локально расположенных на торцах резонатора, а образуется внутри самого лазера. В лазерах РОС такая связь возникает благодаря распределенной структуре под названием "гофр". Это граница между резонатором и другим диэлектрическим слоем (рисунок 7). Резонатор образован между подложкой n+ InP p+InGaAsP. Гофр представляет собой фазовую решетку (оптический фильтр) с очень высокой разрешающей способностью.  

 

      Рисунок 7 - Структура лазера РОС 

      Для повышения мощности излучения в  одномодовый лазер РОС может  быть встроено с одного из торцов зеркало.

     В РОС-лазерах положительная обратная связь по фотонам обеспечивается рассеянием на неоднородностях образующих дифракционную решетку. Дифракция – совокупность явлений, наблюдаемых при распространении света в среде с резкими неоднородностями и связанных с отклонениями от законов геометрической оптики. Перераспределение интенсивности, возникающее вследствие суперпозиции волн, возбуждаемых когерентными источниками, расположенными непрерывно – дифракция волн (конечным числом дискретных когерентных источников - интерференция).

      В результате дифракции на решетке  останутся только моды, длина волны  которых кратна периоду решетки, так как для этих типов волн наблюдается синфазное сложение волн дифракции. То есть периодическая структура способна обеспечить селекцию мод и одномодовый режим генерации.

      Частота генерации соответствующая длине  волны Брэгга:

                                                                  (5)

где L –  длина активного слоя с гофром, с – скорость света в свободном  пространстве.

      Отличительной особенностью РБО-лазеров (DBR) является то, что в них периодическая структура вынесена за пределы активной области.

      В последние годы повышенный интерес  разработчиков ВОСП вызывают «викселы» - полупроводниковые лазеры с вертикальным резонатором (VCSEL – vertical-cavity surface-emitting lasers). В таких лазерах (рисунок 8) резонатор образован двумя объемными дифракционными решетками Брэгга и излучение генерируется в направлении, перпендикулярном плоскости подложки, являющейся основанием гетеро- и квантоворазмерных слоев полупроводников.  

 

Рисунок 8 – Лазер с вертикальными резонаторами (VCSEL) 

      Благодаря сверхкороткой длине резонатора, викселы генерируют на одной продольной моде, при этом диаметр выходного пучка лазера достигает 20-30 мкм, что позволяет осуществлять его эффективную фокусировку в одномодовое волокно. Пороговый ток викселов крайне мал – до 2-5 мА, мощность излучения около 1 мВт. Приложением электрического поля в направлении оси резонатора в некоторых (консольных) вариантах VCSEL удается осуществлять плавную перестройку длины волны генерации в полосе длин волн 1530 – 1560 нм. Это создает возможность эффективного применения викселов в перспективных ВОСП со спектральным уплотнением (WDM и DWDM). Однако, технология изготовления таких лазеров для длин волн 1500–1610 нм (Long Wave-VCSEL, LW-VCSEL) еще недостаточно отработана из-за сложности изготовления зеркал лазера, поэтому они пока менее распространены. 
 
 
 

Список  литературы

  1. Оптоэлектронные приборы и устройства: Учеб. пособие. – М.: Эко-Трендэ, 2006. – 272 с.: ил.
  2. http://ru.wikipedia.org/wiki/Светодиод
  3. Оптическая и квантовая электроника: Учеб. Для вузов/А.Н. Пихтин. - М.: Высш. шк., 2001. - 573 с.: ил.

Информация о работе Полупроводниковые источники излучения в ВОСП