Автор работы: Пользователь скрыл имя, 13 Ноября 2011 в 18:05, курсовая работа
Аналого-цифровой преобразователь (сокращенно АЦП) - это второй после ЦАП ключевой элемент, обеспечивающий взаимодействие аналоговых и цифровых устройств. АЦП является основой цифровых вольтметров, цифровых авометров, многоканальных анализаторов, осциллографов и многих других приборов. Существует несколько различных типов АЦП. Наиболее распространенными являются интегрирующие, следящие и преобразователи последовательного приближения.
1. АЦП параллельного преобразования 4
2. Расчет тактового генератора для АЦП 10
3. Выбор и описание микросхем 14
4. Разработка преобразователя уровней 16
5. Выбор биполярного транзистора 18
6. Расчет схемы ПУ, подбор номиналов резисторов 19
7. Расчет мощности, потребляемой ПУ 21
8. Расчет и построение передаточной характеристики 22
Согласно задания, основной микросхемой для реализации АЦП должна стать К1107ПВ1 - Быстродействующий 6-разрядный АЦП с временем преобразования до 100 нс (параллельного типа)
Микросхема представляют собой
быстродействующую 6-разрядные
Рисунок 3.1 Обозначение К1107ПВ1
Описание
микросхемы К155АГ1 приводилось выше.
4.
Разработка преобразователя
уровней
Согласно задания на курсовой проект, нам необходимо разработать схему преобразователя уровней между микросхемами КМДП ® ТТЛ типов.
Основные параметры, необходимые для построения преобразователей уровня, приведены в таблице 4.1.
Параметр, единица измерения | Элементная база | |
ТТЛ | КМДП | |
Е, В | +5 ± 5% | + (5 ¸ 9) ± 5% |
U0, В | £ + 0,4 | £ + 0,3 |
U1, В | + 2,4 ¸ 4,5 | + 4,5 ¸ 8,5 |
I1вх, мА | £ 0,1 | £ 1,5 × 10-3 |
I0вх, мА | £ 1,6 | £ 1,5 × 10-3 |
I-1вых, мА | £ 1 | £ 2,5 |
I0вых, мА | £ 16 | £ 2,5 |
Uп±, В | £ 0,6 | 1 ¸ 3 |
Принципиальная
схема преобразователя уровня приведена
на рисунке 4.1.
Рисунок
4.1 Принципиальная схема преобразователя
уровней
Схема ПУ работает следующим образом.
Если
Uвх = U0кмдп < еоб, транзистор
VT находится в режиме отсечки. Поскольку
к выходу ПУ подключены n ТТЛ-элементов,
то через резистор Rк протекает не
только ток коллекторного перехода Iкб
о транзистора VT, но и n токов I1вх
ттл. Напряжение на коллекторе транзистора
VT, равное напряжению на выходе ПУ, должно
быть больше уровня логической 1 ТТЛ-элементов
U1ттл
Если Uвх = U1кмдп, то транзистор VT должен находится в режиме насыщения, т.е.
Обычно
стараются создать степень
5.
Выбор биполярного
транзистора
Для
использования в
Параметры
транзистора приведены в таблице 5.1
Таблица
5.1 Параметры КТ202А
ТИП | B1-B2/
Iк |
Fт МГц |
Cк/Uк пф/В |
Cэ/Uэб пф/В |
tр нс |
Uкэ/
(Iк/Iб) (мА/мА) |
КТ203А |
9-/1 |
5 |
10/5 |
10/0.5 |
1000 |
0.5/
(10/1) |
ТИП | Uкб В |
Uкэ/R В/кОм |
I0,
мА |
Uэб В |
Iкм/Iкн мА/мА |
Pк мВт |
Пер |
КТ202А |
15 |
15 |
1 | 10 |
20/ |
15 |
P-N-P |
6.
Расчет схемы ПУ,
подбор номиналов
резисторов
Значения резисторов Rк и Rб определяются из условий двухсторонних ограничений, изложенных ниже.
где: - минимальное напряжение питания при заданном допуске;
Где
Сн = nСвх + См, См
= 50 пФ - монтажная емкость, Свх. =
15 пФ входная емкость элементов, n=1.
Для нахождения суммы и используем следующее выражение:
где: Т* - приращение температуры, при которой обратный ток I0(Т0) удваивается (Т* » (8 ¸ 10)° С для германия и Т* » (6 - 7)° С для кремния);
Т – температура, при которой определяют ток I0;
I0(Т0) – ток I0 при некоторой исходной температуре Т0, который указан в таблице 5.1.
Подставляя
значения в формулы, получаем:
Отсюда:
Таким
образом, выбираем номинал сопротивления
резистора из стандартного ряда, отсюда
Rk=2.4 мОМ.
Рассчитаем
значение RБ:
Так
как величину сопротивления RБ
рекомендовано выбирать максимальной,
примем RБ=24 мОм.
7.
Расчет мощности,
потребляемой ПУ
Определим
мощность, потребляемую ПУ. Если Uвх
= U0ттл, то
VT находится в режиме отсечки, и через
резистор Rк протекает ток nI1вх
кмдп + Iкб о, который будет максимальным
при наибольшей заданной температуре.
Поэтому мощность, которую ПУ потребляет
от источника питания £ в состоянии логической
1 на выходе, равна:
Если Uвх = U1ттл, то VT насыщен, и мощность, потребляемая ПУ в соответствии логического 0 на входе, с учетом (5) равна:
Таким образом, мощность, потребляемая ПУ в состоянии логической единицы, равна:
Мощность,
потребляемая в состоянии логического
нуля:
Статические свойства схемы ПУ наглядно отражаются ее передаточной характеристикой – зависимостью Uвых = f(Uвх).
Значения напряжений логической единицы и нуля для ТТЛ и КМДП указаны в таблице 4.1. Для построения передаточной характеристики необходимо зависимость Uвых от изменения температуры по следующим формулам:
Где
При
Т=250С.
Передаточная
характеристика изображена на рисунке
8.1.