Подготовлено

Учеником 10 «А» класса

Школы № 610

Ивчиным Алексеем

                                   

                  

       

                  

       

                  

       

Реферат на тему:

«Полупроводниковые  диоды и транзисторы,   области их пременеия»  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

       

                  

        План 

 

1. Полупроводники: теория и свойства

2. Основные полупроводниковые  приборы (Строение и применение)

3. Типы полупроводниковых  приборов

4. Производство

5. Область применения   

         
 

1.Полупроводники : теория и свойства

     Сначала надо познакомиться с  механизмом проводимости в полупроводниках.  А для этого нужно понять  природу связей удерживающих  атомы полупроводникового кристалла  друг возле друга. Для примера рассмотрим кристалл кремния.

Кремний—четырехвалентный  элемент. Это означает, что во внешней

оболочке  атома имеются четыре электрона, сравнительно слабо связанные

с ядром. Число ближайших соседей каждого  атома кремния также равно

четырем. Взаимодействие пары соседних атомов осуществляется с помощью

паоноэлектронной  связи, называемой ковалентной связью. В образовании

этой  связи от каждого атома участвуют  по одному валентному электрону, ко-

торые отщепляются от атомов (коллективизируются кристаллом) и при

своем движении большую часть времени  проводят в пространстве между

соседними атомами. Их отрицательный заряд  удерживает положительные ионы кремния  друг возле друга. Каждый атом образует четыре связи с соседними,

 и  любой валентный электрон может  двигаться по одной из них. Дойдя до соседнего атома, он может перейти к следующему, а затем дальше вдоль всего кристалла.  

Валентные электроны принадлежат всему  кристаллу. Парноэлектронные связи  кремния достаточно прочны и при  низких температурах не разрываются. Поэтому кремний при низкои температуре  не проводит электрический ток. Участвующие в связи атомов валентные электроны прочно привязаны к кристаллической решетке, и внешнее электрическое поле не оказывает заметного влияния на их движение.

       Электронная проводимость.

 При  нагревании кремния кинетическая  энергия  частиц  повышается,  и

наступает разрыв отдельных связей. Некоторые  электроны  покидают свои   орбиты и становятся свободными, подобно  электронам в металле. В электрическом  поле они перемещаются между узлами решетки, образуя электрический ток.

Проводимость  полупроводников обусловленную  наличием у металлов свободных

электронов  электронов, называют электронной проводимостью. При повышении температуры  число  разорванных связей, а значит, и  свободных электронов увеливается. При нагревании от 300 до 700 К число свободных носителей заряда увеличивается от  10в17  до  10в24 1/м в3. Это приводит к уменьшению сопротивления.   

        Дырочная  проводимость.

      При разрыве связи образуется  вакантное место с недостающим электроном.

Его называют дыркой. В дырке имеется избыточный положительный заряд по сравнению  с остальными, нормальными связями. Положение дырки в кристалле  не является неизменным. Непрерывно происходит следующий процесс. Один

из электронов, обеспечивающих связь атомов, перескакивает на место об-

разовавшиеся  дырки и восстанавливает здесь  парноэлектронную связь.

а там, откуда перескочил этот электрон, образуется новая дырка. Таким

образом, дырка может перемещаться по всему  кристаллу.

Если напряженность электрического поля в образце равна нулю то перемещение дырок, равноценное перемещению положительных зарядов, происходит беспорядочно и поэтому не создает электрического тока. При наличии электрического поля возникает упорядоченное перемещение дырок, и, таким образом, к электрическому току свободных электронов добавляется электрический ток связанный с перемещением дырок. Направление движения дырок противоположно направлению движения электронов.

Итак, в  полупроводниках имеются  носители заряда двух типов: электроны и дырки. Поэтому полупроводники обладают не только электронной, но и дырочной проводимостью. Проводимость при этих условиях называют собственной проводимостью полупроводников. Собственная проводимость полупроводников обычно невелика, так как мало число свободных электронов, например, в германии при комнатной температуре ne=3на10в23 см в –3. В то же время число атомов германия в 1 см кубическом порядка 10в23. Таким образом, число свободных электронов составляет примерно одну десятимиллиардную часть от общего числа атомов.

      Существенная особенность полупроводников  состоит в том, что в них

при наличии  примесей наряду с собственной проводимостью  возникает

дополнительная  — примесная проводимость.  Изменяя  концентрацию

примеси, можно значительно изменять число носителей заряда того

или иного  знака. Благодаря этому можно  создавать полупроводники с

преимущественной   концентрацией либо отрицательно, либо положи-

тельно  заряженных носителей. Эта особенность  полупроводников откры-

вает  широкие возможности для практического применения.

      Донорные примеси. 

Оказывается, что при наличии примесей, например атомов мышьяка, даже при очень малой  их концентрации, число свободных  электронов возрастает во

много раз. Происходит это по следующей причине. Атомы мышьяка имеют пять  валентных электронов, четыре из них участвуют в создании ковалентной связи данного атома с окружающими, например с атомами кремния. Пятый валентный электрон оказывается слабо связан с атомом. Он легко покидает атом мышьяка и становится свободным. Концентрация  свободных  электронов значительно возрастает, и становится в тысячу раз больше концентрации свободных электронов в чистом полупроводнике. Примеси, легко отдающие электроны называют донорными, и такие полупроводники являются полупроводниками n-типа. В полупроводнике n-типа электроны являютсн основныим носителями заряда, а дырки — неосновными.

      Акцепторные примеси. 

Если  в качестве примеси использовать индий, атомы которого трехвалентны, то характер проводимости полупроводника меняется. Теперь для образования нормальных парноэлектронных связей с соседями атому индия не

достает электрона. В результате образуется дырка. Число дырок в крис-

талле равно числу атомов примеси. Такого рода примеси на-

зывают  акцепторными  (принимающими).  При наличии электрического поля

дырки перемешаютс по полю и возникает  дырочная проводимость. По-

лупроводники  с преобладанием дырочкой проводимости над электрон-

ной  называют  полупронодниками р-типа (от слова positiv — положительный). 

2.Основные полупроводниковые  приборы (Строение и применение)

 Существуют  два основных полупроводниковых  приборов : диод и транзистор.

     Диод.

В нястояшее  время для выпрямления электрическигй тока в радиосхемах наряду с двухэлектродными лампами вся больше применяют полупроводниках диоды,  так  как они обладают рядом преимуществ. В электронной лампе носители заряда электроны  возникают за счет нагревания катода. В p-n переходе носители заряда  образуется при введении в кристалл акцепторной или донорной примеси.Таким образом, здесь отпадает необходимость источника энергии для получения носителей заряда. В сложных схемах экономия энергии, получается  за счет этого, оказывается весьма значительной значительной. Кроме того, полупроводниковые выпрямители при тех же значениях выпрямленого тока более миниатюрны, чем ламповые.

            Полупроводниковые диоды изготовляют  из германия, кремния. селена и  других веществ. Рассмотрим как  создается  p-n переход при использовании  днорной примеси, этот переход  не удастся получить путем механического соеденения двух полупроводников  различных типов, т.к. при этом получается слишком большой зазор между полупроводииками.Эта толщина должна быть не больше межатомных растояний. По этому в одну из поврхностей образца  вплавляют индий.  Вследствие диффузии атомов индии индия в глубь монокристалла германня у поверхности германия преобразуется область с проводимцстью р-типа. Остальная часть образца германии, в которуй атомы индмя нс  проникли,  по-прежнему имеет проводимосгь  n-типа. Между областями возникает p-n переход. Вполупроводниковом  диоде германий служит катодом, а индий -  анодом. На рисунке 1 показано прямое (б) и обратное (в)     подсоеденение диода.

    Вольт-Амперная характеристика при  прямом и обратном соединении  показана на рисунке 2.

    Заменили лампы, очень широко  используются в техники, в основном  для выпрямителей, также диоды  нашли применение в различных  приборах.

      Транзистор.  

Рассмотрим  один из видов транзистора из германия или кремния с введенными в  них донорными и акцепторными примесями. Распределение примесей таково, что создается очень тонкая (порядка нескольких микрометров) прослойка полупроводника  n-типа  между  двумя слоями полупроводника р-типа рис. 3. Эту тонкую прослойку называют основанием или базой.В кристалле образуются два р-n-перехода, прямые направления которых противоположны. Три вывода от областей с различными типами проводимости позволяют включать транзистор в схему, изображенную на рисунке 3. При данном включении

левый р—n переход является прямым и отделяет базу от области с проводимостью р-типа, называемую эмитером. Если бы не было правого р –n -перехода, в цепи эмиттер - база существовал бы ток, зависящий от напряжения источников (батареи Б1 и источника переменного напря-

жения) и сопротивления цепи, включая малое сопротивление прямого пе-

рехода эмиттер  — база. Батарея Б2 включена так, что правый р-n-переход в схеме (см. рис. 3) является обратным. Он отделяет базу от правой области с проводимостью  р-типа, называемой коллектором. Если бы не было левого p—n-перехода, сила тока и цепи коллектора была бы близка к нулю. Так как сопротивление обратного перехода очень велико.  При существовании же тока в левом р —n переходе появляется ток и в цепи коллектора, причем сила тока в коллекторе лишь немного меньше силы тока в эмиттере.При создании напряжения между эмиттером и базой основные носители полупроводника р-типа — дырки проникают в базу, гдр они являютс уже леосновными носителями. По-скольку толщина базы очень мала и число основных носителей (электронов) в ней невелико, попавшие в нее дырки почти не объединяются (не рекомбинируют) с электронами базы и проникают н коллектор за счет диффузии. Правый р—n-переход закрыт для основных носителей заряда базы – электронов, но не для дырок.  В коллекторе дырки увлекаются электрическим полем и замыкают цепь. Сила тока, ответвляющегося в цепь эмиттера из базы, очень мала, так как площадь сечения базы в горизонтальной (см.рис. 3) плоскости много меньше сечения в вертикальной плоскости. Сила тока в коллекторе, практи чески равная силе тока в эмиттере, изменяется вместе с током в эмиттере. Сопротивление резистора R мало влияет на ток в коллекторе , и это сопротивление можно сделать достаточно большим. Управляя  током эмиттера с помощью источника переменного напряжения, включенного в его цепь, мы получим синхронное изменение напряжения на резисторе. При  большом сопротивление резистора изменение напряжения на нем может в десятки тысяч раз превышать изменение сигнала  в цепи эмиттера.Это означает усиление напряжения. Поэтому на нагрузке R можно получить электрические сигналы, мощность которых во много раз превосходит мощность, поступающую в цепь эмиттера.Они заменяют электронные лампы, широко используются в технике.