Автор работы: Пользователь скрыл имя, 27 Декабря 2012 в 18:18, курсовая работа
Грандиозными темпами развиваются области применения мощных полевых транзисторов. Значительная часть производимых в настоящий момент полевых транзисторов широко используются в цифровых и аналоговых интегральных схемах. За счёт того, что полевые транзисторы управляются полем, а не током, протекающим через базу (как в биполярных транзисторах), полевые транзисторы потребляют значительно меньше энергии, что особенно актуально в схемах ждущих и следящих устройств, а также в схемах малого потребления и энергосбережения. Их применение в радиопередающих устройствах позволяет получить повышенную чистоту спектра излучаемых радиосигналов, уменьшить уровень помех и повысить надёжность радиопередатчиков. В силовой электронике ключевые мощные полевые транзисторы успешно заменяют и вытесняют мощные биполярные транзисторы.
Введение 1
1. Литературный обзор 1
1.1 Общие сведения 1
1.2 Структура и принцип действия 2
1.3 Статические характеристики 3
1.4 Частотные свойства полевых транзисторов с управляющим переходом. 5
2. Расчетная часть 6
2.1 Исходные данные 6
2.2 Расчет транзистора 6
Напряжение отсечки:
Напряжение на затворе:
Напряжение на стоке:
Напряжение затвор-сток:
Сопротивление канала:
Удельное сопротивление:
Крутизна:
Ток сток:
Ток насыщения:
Ток стока в крутой области:
Ток стока в пологой области:
Расчеты:
1) Подвижность электронов:
|
|
2)
Контактная разность
|
|
3) Напряжение отсечки:
|
|
4) Сопротивление канала:
|
| |
|
|
5) Крутизна при Ug=0:
|
6) Максимальный ток стока достигаемый при напряжении на затворе равным нулю:
7) Передаточная характеристика: Id=f(Ug)|Ud=const
Рис. 4. Передаточная характеристика
8) Семейство выходных характеристик:
Ток стока Id в зависимости от напряжений на стоке Ud и на затворе Ug в крутой области ВАХ: Id=f(Ud)|Ug=const
|
При |
После граничного напряжения на стоке Uds=Ug-Ug0 транзистор переходит в режим, соответствующий пологой области:
При
При
Рис. 5. Семейство выходных характеристик
9) Зависимость крутизны от напряжения на затворе:
Рис. 6. Зависимость крутизны от напряжения на затворе.
10) Зависимость напряжения отсечки от концентрации доноров в эпитаксиальной пленке:
Рис. 7. Зависимость напряжения отсечки от концентрации доноров в эпитаксиальной пленке.
Информация о работе Полевой транзистор с управляемым p-n переходом