Автор работы: Пользователь скрыл имя, 07 Декабря 2011 в 13:54, реферат
ИОНЫ В ГАЗАХ, образуются в заметных концентрациях при высоких т-рах, а также при воздействии на газ фотонами или быстрыми частицами. Играют существенную, а зачастую и определяющую роль в радиац. химии, плазмохимии, лазерной химии, физико-химии верх. слоев атмосферы, межпланетного пространства и космоса, а также в ядерной технике и в условиях мощного энергетич. воздействия.
ИОНЫ
В ГАЗАХ,
образуются в заметных концентрациях
при высоких т-рах, а
также при воздействии
на газ
фотонами или быстрыми
частицами. Играют существенную,
а зачастую и определяющую
роль в радиац. химии, плазмохимии, лазерной
химии,
физико-химии верх. слоев атмосферы,
межпланетного пространства
и космоса, а также в
ядерной технике и в
условиях мощного энергетич.
воздействия.
Элементарные
процессы образования ионов
в газах.
Взаимод. нейтральных
частиц с потоком быстрых электронов (электронный
удар) приводит к образованию
положит. ионов,
если энергия электронов
Ее равна
или превышает потенциал
ионизации
I нейтральной частицы
А (атома, молекулы):
А + е : А+ + 2е.
При Ее>1
с ростом Ее
вероятность процесса
растет вначале линейно,
достигает максимума
в области значений
Ее, соответствующих
3-5 I, а затем плавно уменьшается.
В максимуме сечение
ионизации si,
определяемое как эффективная
площадь поперечного
сечения нейтральной
i-й частицы, в к-рое должен
попасть электрон,
чтобы произошла ионизация,
составляет обычно 0,2-0,5
от газокинетич. сечения,
т.е. определяется фактически
геом. размерами ионизуемых
частиц. При дальнейшем
увеличении Ее
различия в величине si
для разных атомов
и молекул
сглаживаются, и при
достаточно больших
значениях Ее
величина si
определяется гл. обр.
числом электронов
в ионизируемой частице.
Зная si,
можно рассчитать кол-во ионов
Ni, образующихся
в слое газа
толщиной d в единицу
времени при прохождении
через него потока электронов
Ne. Для
"оптически тонкого"
слоя, когда длина своб.
пробега электронов
в газе
dn >>
d, Ni = sindNe,
где п - концентрация
ионизируемых частиц.
При взаимод. электронов
с молекулами
наряду с образованием
мол. ионов
возможна и диссоциативная
ионизация с образованием
осколочных ионов,
напр.: Н2 +
е : Н+ +
Н + 2е. Такой процесс
становится возможным,
когда Ее
достигает нек-рой пороговой
величины. В приведенном
примере эта величина (потенциал
появления иона
Н+) равна
сумме потенциала
ионизации атома
Н I(Н) = 13,6 эВ и энергии диссоциации D(H-H) = 4,5
эВ и составляет 18,1 эВ.
Однако поскольку, согласно
принципу Франка - Кондона,
с наиб. вероятностью
происходят вертикальные квантовые
переходы,
при к-рых не изменяется
расстояние между атомами
в молекуле,
энергия, необходимая
для диссоциативной
ионизации, часто оказывается
больше пороговой величины.
Так, для образования
Н и Н+
из низшего колебат.
уровня основного электронного
состояния 1Sд
Н2 необходимо
возбудить молекулу
в состояние 2Sи,
энергия к-рого превышает
порог ионизации на 10-14
эВ (см. рис.).
Рис. 1. Кривые потенциальной
энергии молекулы
Н2. Заштрихованной
полосой показаны границы
вертикальных (франк-кондоновских)
переходов из основного
состояния 1Sд
в возбужденные 2Sд
и 2Sи.
Пунктирная линия МО -
невертикальный переход.
Избыточная энергия переходит в кинетич. энергию частиц Н и Н+ . Существенно меньше вероятность "невертикального" перехода в состояние 2Sд, приводящего к образованию медленных частиц. Т. обр., при диссоциативной ионизации электронным ударом возможно образование "горячих" частиц, чего не происходит при образовании атомарных и мол. ионов. При диссоциативной ионизации многоатомных молекул избыточная энергия перераспределяется по степеням свободы таким образом, что разрыв хим. связи происходит по наиб. слабой из них и положит. заряд оказывается, как правило, у осколка с наим. потенциалом ионизации. При столкновении электронов с атомами и молекулами возможно образование не только положительных, но и отрицат. ионов. Для этого необходимо, чтобы частицы обладали положит. сродством к электрону и чтобы избыток энергии, возникающий в частице после захвата электрона, был отдан системе прежде, чем произойдет диссоциация на электрон и исходную частицу. При прилипании электрона к атому избыточная энергия, равная сумме кинетич. энергии электрона и сродства атома к электрону, м. б. испущена в виде кванта света (радиац. процесс) либо передана при столкновении третьей частице (или пов-сти). Вероятность Wr радиац. процесса типа А + е : А- + hn (n - частота испускаемого кванта света, h - постоянная Планка) при энергии Ее ~ 10 эВ равна ~ 10-7 и изменяется в первом приближении пропорционально . Вероятность Wt передачи энергии возбуждения третьей частице пропорциональна концентрации таких частиц и зависит от их природы. Во всех случаях сечение прилипания электрона к атомам существенно меньше газокинетич. сечения, в отличие от сечений ионизации при образовании положит. ионов в газах Существенно большими сечениями обладают процессы образования отрицат. ионов многоатомных частиц. Это объясняется тем, что возбужденная многоатомная частица может быстро диссоциировать:
XY + e : [(XY-)]* : X + Y-
либо
перераспределять энергию
возбуждения по внутр.
степеням свободы с
образованием относительно
долгоживущего состояния,
способного стабилизироваться
в столкновениях:
(М - третья частица).
В последнем случае
наблюдаются исключительно
большие сечения в узком
диапазоне энергий Ее.
Так, сечение прилипания электронов
к SF6 имеет
чрезвычайно узкий максимум
при энергиях электронов
порядка kТ, равный 1,4.10-14
см2 (k - постоянная
Больцмана,
T - абс. т-ра). При достаточно
больших значениях Ее
возможна т. наз. полярная диссоциация молекул
без захвата электрона: XY +
e : X+ + Y- +е. Фотоионизация
происходит с определенной
вероятностью, когда
фотон взаимод. с молекулой
или атомом
и энергия фотона Ehv
равна или превышает потенциал
ионизации молекулы
или атома:
А + hn : A+ +
е. Зависимость сечения
процесса от энергии
Ehv, в отличие
от ионизации электронным
ударом, имеет резкие
максимумы при Ehv =
Ii, где
Ii (i = 1, 2, ...) -
первый, второй и т.д. потенциалы
ионизации атома
или молекулы.
При Ehv>I1
возможны также диссоциативная фотоионизация
с образованием двухзарядных ионов:
А + hn : А2+ + 2е.
Образование двухзарядных ионов
обычно имеет место
при выбивании "первичного" электрона
из внутренней, напр., K-оболочки атома
и переходе электрона
из расположенной выше
по энергии L-оболочки,
что сопровождается
испусканием рентгеновского
кванта или "вторичного" электрона (Оже-электрона;
см. Рентгеновская
спектроскопия). Фотоионизация
возможна и при Ehv
<< I; в этом случае
она носит многоступенчатый (многофотонный)
характер (см. Многофотонные
процессы).
Ионизация при
соударениях тяжелых
частиц. Зависимость
сечения процессов типа
А + В : А + В+ +
е; А+ +
В : А+ +
В+ + е от
энергии Е относит. движения
частиц А и В имеет такой
же характер, как и при
ионизации электронным
ударом. Однако энергетич.
масштаб существенно
иной: сечение ионизации
достигает максимума
в области энергий порядка
десятков кэВ и остается
большим до энергий
~ 1 МэВ. Как и при электронном
ударе, в максимуме зависимости
сечение ионизации s(E)
сравнимо с газокинетич.
сечением соударения,
а скорость относит.
движения частиц сравнима
со скоростью орбитального
движения электронов
в атоме
или молекуле.
Ионизация может происходить
и за счет энергии возбуждения
сталкивающихся частиц
либо энергии хим. р-ции.
Примером является ионизация
Пеннинга А+ +
В : А + В+ +
е с участием возбужденных
частиц А*, энергия к-рых
превышает потенциал
ионизации частиц
В. Энергия хим. р-ции
может эффективно приводить
к ионизации частиц
продуктов, напр., в пламенах
СН + О : СНО+ +
е; N + О : NO+ +
е. В результате тепловой
эффект таких р-ций близок
к нулю (для первой из
приведенных р-ций) или
существенно снижается
(для второй р-ции он
составляет + 2,75 эВ).
Для р-ций типа К + Сl :
К+ + Сl-
тепловой эффект равен
разности потенциала
ионизации
и сродства
к электрону
электроотрицат. частицы;
для приведенной р-ции
это всего лишь +0,72 эВ.
Заметный вклад в снижение
теплового эффекта р-ций
может вносить и сродство
к протону (к-рое
для NH3,
напр., составляет 9,4
эВ), а также энергия
связи других ионов,
образующих утяжеленные
или кластерные ионы
(напр., О2+
.О2, Аr+ .Аr).
Рекомбинация ионов
в газах.
Процессы типа А+ +
В- либо
АВ+ + е
: А + В в общем случае
протекают со скоростью,
характерной для бимолекулярных
р-ций и определяемой
выражением:
где t - время, [А+]
и [В-] - концентрации
положит. и отрицат. ионов
(в см-3),
a - т. наз. коэф. рекомбинации (в
см3.с-1).
Величина a меняется
в широких пределах (от 10-6
до 10-14)
в зависимости от характера
процесса и природы
участвующих в нем частиц.
Наиб. медленной является
радиац. рекомбинация,
при к-рой энергия рекомбинации
превращ. в энергию фотонов.
В таких процессах участвуют,
как правило, разноименно
заряженные атомарные ионы
А+ и В-
либо атомарный ион
и электрон:
А+ + е :
А + В + hn. Радиац. рекомбинация
тепловых частиц (с энергией
порядка kТ) и электронов
происходит очень медленно,
a < 10-14
см3.с-1.
С существенно большими
значениями a протекает рекомбинация
с участием разноименно
заряженных атомарных ионов
(нейтрализация),
приводящая к образованию
нейтральных атомов
в возбужденных
состояниях.
Так, для р-ции Н+ +
Н- : Н* +
Н макс. значение a достигается
при образовании возбужденного атома
Н* с главным квантовым
числом п = 3 (a3 = 1,3.10-7см3.с-1
при 250 К). Еще более распространена
диссоциативная рекомбинация,
в к-рой участвуют двухатомные
и многоатомные ионы,
включая ионные кластеры.
Процессы этого типа
обладают наиб. высокими
значениями а, лежащими
в области 10-8-10-6
см3.с-1.
Механизм диссоциативной рекомбинации
двухатомной молекулы
можно представить последовательностью
процессов: Х2+
+ е : (X2*) : X* + X +
кинетич. энергия. При
захвате электрона
положит. ионом
образуется возбужденная молекула X2*,
распадающаяся с образованием атомов
в возбужденном и основном
состояниях, к-рые обладают
избыточной кинетич.
энергией ("горячие" атомы).
Поскольку переход X2* : X*
+ X происходит очень
быстро (за время одного
колебания, равное ~ 10-13
с), вероятность диссоциативной рекомбинации
по порядку величины
близка к единице, а
a ~ 10-8-10-7
см3.с-1.
Типичный пример диссоциативной рекомбинации
двухатомных ионов:
При комнатной т-ре a1 = 3.10-8,
a2 = 1,7.10-7
см3.c-1.
Для рекомбинации
с участием многоатомных ионов
и, в частности, ионных кластеров
a могут иметь значения ~ 10-6
см3.с-1.
Так, рекомбинация кластеров
Н3О+ .(Н2О)5
+ е : продукты, происходящая
при "т-ре" заряженных
частиц 205 К, характеризуется
a = (5-10).10-6
см3.с-1.
Важная особенность рекомбинации
с участием ионных кластеров -
рост a с увеличением
числа молекул
в кластере.
Описанные процессы рекомбинации
имеют место при невысоких давлениях (не
более неск. сотен Па).
Их вероятность обусловлена
эффективностью способов
отбора избыточной энергии,
выделяющейся при рекомбинации.
Поэтому если у частицы
появляются дополнит.
возможности отдать
избыточную энергию,
вероятность рекомбинации
возрастает. Такие условия
возникают при повыш. давлениях,
когда в пределах сферы
взаимного притяжения
зарядов ускоряющиеся ионы
могут сталкиваться
с нейтральными частицами
и передавать им часть
энергии. При больших давлениях (атмосферном
и выше) коэф. рекомбинации
разноименно заряженных ионов
м. б. выражен через их
подвижности m+
и m-: a = 4pе(m+
+ m-), что
подтверждается эксперим.
значениями a ~ 10-6
см3.с-1.
При низких концентрациях ионов
и низких давлениях
повышается вероятность рекомбинации
зарядов на стенке сосуда.
Если длина своб. пробега иона
больше или соизмерима
с размерами сосуда,
время жизни иона
в отсутствие электрич.
и магнитного полей
определяется только
временем его пробега
между стенками. При
меньших длинах своб.
пробега время жизни
tд ~ x2/2D,
где х - расстояние между
стенками, D - козф. диффузии.
Если концентрации
положит. и отрицат. ионов
(или электронов)
одинаковы, их диффузия
происходит с одинаковой
скоростью (т. наз. амбиполярная диффузия).
Коэф. амбиполярной диффузии
определяется средним
значением подвижности
диффундирующих частиц: D = (RT/e)m,
где m = m+m-/m+
+ m-, R - газовая
постоянная.
Знание скоростей образования
и гибели заряженных
частиц позволяет определить
их стационарную концентрацию
в системе. В случае
гомогенной квадратичной
гибели по р-ции А+ +
В- : продукты
стационарные концентрации [А+]
и [В-] равны
; в случае диффузионной
гибели на стенке они
равны qtд,
где q - скорость ионизации
(в см-3.с-1).
Роль ионов
в различных процессах.
Важная роль ионов
в газах
в радиац. химии
обусловлена их высоким
радиац. выходом, равным 3-4 парам ионов
на 100 эВ поглощенной
энергии, и участием
в разл. ионно-молекулярных
реакциях,
к-рые характеризуются
большими скоростями
и при не слишком больших мощностях
дозы
излучения успевают
пройти прежде, чем произойдет рекомбинация.
Так, при мощностях
дозы 1016
эВ.см-3.с-1,
типичных для газофазного радиолиза,
время жизни иона
до рекомбинации
tn ~ 6.10-5с,
тогда как характерное
время р-ции А+ +
В : продукты при [В] =
2,5.1019 см-3
ti ~ 4.10-10с.
Величины tr
и ti становятся
равными при уменьшении [В]
на 5 порядков либо при
увеличении мощности
дозы
на 10 порядков. Поэтому
практически любые радиационно-хим.
процессы с участием ионов
протекают в такой последовательности:
ионизация - ионно-молекулярная
р-ция - рекомбинация (причем
в рекомбинации
принимают участие не
только вторичные ионы,
но и ионы
более глубоких поколений).
Образовавшиеся при рекомбинации
активные частицы (радикалы, атомы,
возбужденные частицы)
в свою очередь участвуют
в хим. превращениях,
давая конечные продукты радиолиза.
Основными ионно-молекулярными
р-циями в радиац. химии газов
являются переход тяжелой
частицы (протона)
и перезарядка (недиссоциативная
или диссоциативная).
При фотохим. р-циях ионы
в газах
могут играть заметную
роль только в далекой
(коротковолновой) УФ
области (см., напр., описанные
ниже ионные процессы
в земной атмосфере).
В плазме
электрич. разряда участие ионов
в газах
в хим. р-циях незначительно,
т.к., напр., в плазмохим.
реакторах т-ра электронов
составляет 103-2.104
К, что соответствует
энергии Еe 0,1-2
эВ. Такая энергия достаточна
для возбуждения молекул
либо их диссоциации,
но ионизировать газ
способна лишь очень
малая доля электронов.
Напр., в тлеющем разряде
в водороде
при давлении 10-100
Па и плотности тока 10-1
А.см2 концентрация атомов
Н м. б. доведена почти
до 100%, а степень ионизации
при этом будет менее
1%. В несамостоят. электрич.
разрядах, где ионизация газа
осуществляется внеш.
источником, процессы
с участием ионов
в газах
могут играть практически
такую же роль, что и
в радиационно-хим. превращениях.
При высоких т-рах в
условиях термодинамич. равновесия
степень ионизации газа
приближенно определяется
ф-лой Саха:
где [А+], [е], [А] - концентрации
соответствующих частиц, S+
и S - статистич. веса
А+ и А,
тe - масса электрона, I - потенциал
ионизации
нейтральной частицы
в основном состоянии.
В пламенах могут наблюдаться
сверхравновесные концентрации
заряженных частиц порядка
1010-1011
см-3. Степень
ионизации пламени и
его электрич. проводимость
м. б. повышены введением
частиц с малым потенциалом
ионизации
либо частиц, ионизация
к-рых облегчается за
счет энергии хим. р-ции.
Так, добавки щелочных
металлов
используются, напр.,
в магнитогидродинамич.
преобразователях тепловой
энергии в электрическую.
Высокий разогрев и
вызванная им сильная
ионизация воздуха
возникают при прохождении
через атмосферу
метеорных тел, ракет
и спутников.
Ионы
в атмосфере
Земли и Солнца.
В разных слоях земной атмосферы
ионизация обусловлена
действием источников
разной мощности: в приземном
слое - это излучение
радиоактивных изотопов
земной коры, в тропосфере
и нижней стратосфере
(0-25 км) - космич. лучи,
в ионосфере (65-600 км) -
коротковолновое УФ
излучение Солнца. Наиб.
вклад в ионизацию земной атмосферы
вносит поток УФ излучения
с длинами волн короче 103
нм, к-рый поглощается
на высотах 100-300 км, ионизируя
в осн. О, N2, O2.
На высоте ~ 300 км абс.
максимум дневной концентрации
заряженных частиц (гл.
обр. О+
и е) составляет ~ 106
см-3. Концентрация электронов
здесь зависит от скорости
ионно-молекулярных
р-ций, превращающих
атомарные ионы
О+, практически
нерекомбинирующие,
в быстро рекомбинирующие
молекулярные ионы
O2+
и NO+: О+ + O2
: O2+ + O;
О+ + N2 : NO+
+ N. На высотах 100-150 км
преобладают ионы
NO+ и О2+,
а ниже 90 км начинается
образование ионных кластеров
и отрицат. ионов,
так что на высотах ниже 65-70
км днем электроны
практически отсутствуют.
Процессы с участием
заряженных частиц определяют
не только состав и концентрацию ионов,
но оказывают заметное
влияние на содержание
нейтральных активных
частиц в атмосфере.
Так, изменение скорости
образования ионов
в стратосфере приводит
к изменению скорости
образования оксидов
азота,
разрушающих стратосферный озон.
На высотах 80-90 км ионизация
О2 и р-ция
О2+
с Н2О приводят
к образованию Н и ОН.
При рекомбинации
мол. ионов
в ионосфере рождаются
возбужденные и невозбужденные "горячие" атомы
(обладающие избыточной
кинетич. энергией).
Важным процессом в
солнечной атмосфере
с участием ионов
является образование
непрерывного солнечного
спектра излучения в
видимой области. Это
излучение испускается
при поглощении фотонов,
поступающих из внутр.
слоев Солнца, ионами
Н- (сродство
к электрону
0,755 эВ).
===
Исп. литература для
статьи «ИОНЫ
В ГАЗАХ»:
Смирнов Б. М., Ионы
и возбужденные атомы
в плазме,
М., 1974; Месси Г., Отрицательные ионы,
пер. с англ., М., 1979; Брасье
Г., Соломон С., Аэрономия
средней атмосферы,
пер. с англ., Л., 1987. И.
К. Ларин, В. Л. Тальрозе.