Резистор

МАЗМҰНЫ 

Кіріспе.......................................................................................................................3

1.Диффузиялық конденсаторлар............................................................................4

2.МДП-конденсаторлар...........................................................................................5

3.Үлдірлі  конденсаторлар.......................................................................................5

Қорытынды..............................................................................................................7

Пайдаланылған әдебиеттер тізімі..........................................................................8 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

КІРІСПЕ 

      ИМС жартылай өткізгіштігінде көбінесе конденсатордың үш типі пайдаланылады: Диффузиялық конденсатор, МДП-конденсатор және үлдірлі конденсатор.

      Конденсаторлар  типінен тәуелсіз келесі негізгі  өлшемдермен сипатталады: С –  сыйымдылық мәнімен номиналдылығы; қашық С₀ сыйымдылығы немесе аудан бірлігіне қатысты сыйымдылығы; ±∆С  - сыйымдылығы номиналды мәнінің технологиялық таралуы; СТК – сыйымдылықтың температуралық коэффициенті; U – жұмыс кернеуі. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

     1.Диффузиялық  конденсаторлар 

      Интегралды  микросұлбаның конденсаторы ретінде p-n-өткізгіштің барьерлік сыйымдылығын қолданады. Бұл өткізгіш кері бағытпен ығыстырылған. Мұндай интегралды микросұлбаның пассивті элементін бір уақытта транзисторлы құрылымды құруда немесе міндетті түрде p-n-өткізгішті транзисторлы құрылымды қолдануда ыңғайлы (1-сурет). p-n-өткізгіштің барьерлік сыйымдылығы конденсатордың тұрақты сыйымдылығы үшін қолдану мүмкін, сондай-ақ ауыспалы сыйымдылық конденсатор үшін де қолдана береді. Өткізгіште ауыспалы сыйымдылық конденсаторды басқаруды тұрақты ығыстырудың өзгерісі арқылы жүзеге асыруға болады.  

1-сурет.  Диффузиялық конденсатордың құрылымы 

      Диффузиялық конденсатордың номиналды сыйымдылық диапазон мәні өткізгіш аймағына қатысты қоспаның концентрациясымен анықталады. Мұндай диффузиялық конденсаторлар жартылай өткізгіш монокристаллының жеке бөлек аумағында қалыптасу мүмкін. Транзисторлық құрылымның эмиттерлік сыйымдылығын қолданатын диффузиялық конденсаторлар коллекторлық өткізгіштегі конденсатормен салыстырғанда үлкен меншікті сыйымдылыққа ие.

      Дегенмен  аймақ өткізгішіне қатысты қоспаның концентрациясы үлкен болғанымен және өткізгіштің ені кішкентай болуына  байланысты, мұндай өткізгіштің өткір  кедергісі азырақ болады. Сонда диффузиялық  конденсатордың кедергісі де шамалы аз болады. Осылай диффузиялық конденсатордың меншікті сыйымдылығы мен өткір кедергісін бірге қарастыру керек. Осы параметрлердің бір-бірімен қатынасы диффузиялық конденсатор үшін қолайсыз жағдай тудырады.

      p-n-өткізгіште барьерлік сыйымдылық кернеуге тәуелді болуына байланысты диффузиялық конденсаторларды электромагниттік толқындарды күшейту үшін қолданады. Яғни интегралды микросұлбаның активті элементі бола алады. 
 

     2.МДП-конденсаторлар 

      МДП-конденсатордың диэлектригі ретінде кремний диоксид қабаты қолданылады. Ол жартылай өткізгіштің кристалын қаптап тұрады (2-сурет). Конденсатордың бірінші қоршау жабыны (обкладка) кремний диоксид қабат бетіне жағылатын металл қабаты болып табылады(әдетте алюминий)  және сол кезде элемент аралық қосқыштар мен контактілік аудандар дайындалады; екінші қорғау жабыны – қатты легрленген жартылай өткізгіш облысы. Ол бір мезгілде интегралды микросұлбадағы транзисторлық құрылымның эмиттерлік облыстарының қалыптасуымен жүзеге асады. Осылай, МДП-конденсатордың жасалу үрдісі қалыптасуға қажетті қосымша операцияларды қажет етпейді. 

2-сурет.  МДП-конденсатордың құрылымы 

      МДП-конденсаторына арналған аймақта транзисторлық  құрылымды базалық облыстың қалыптасуы жүрмейді. Яғни базалық облыс үшін диффузиялық қоспа шықпайды. Сондықтан МДП-конденсатордың астында транзисторлық құрылымды коллекторлық облыс пен төсеніш арасында тек бір ғана p-n-өткізгіш болады. Ол МДП-конденсаторды жартылай өткізгіш пластинада орналасқан басқа элементтерден оқшаулау үшін қажет.  

      3.Үлдірлі  конденсаторлар 

      Үлдірлі конденсаторлар гибридті интегралды микросұлбаның диэлектрлік төсенішінде жасалынады. Жасалу үрдісі  кем дегенде үш вакуумды шаңдату операциясынан тұру керек: 1 – конденсатордың төменгі өткізгіш қорғау жабыны; 2 – диэлектрлік үлдірлер; 3 – жоғарғы өткізгіш қорғау жабыны (3-сурет). 

3-сурет.  Үлдірлі конденсатордың конструкциясы 

      Мұндай  үлдірлі конденсаторды бірқабатты деп атайды. Үлкен сыйымдылықты немесе конденсаторды алып жатқан кішірейтілген  ауданды алу үшін көпқабатты үлдірлі конденсаторларды жасауға болады. Олардың секциялары «қабат» ретінде орналасқан – бірін үстіне бірі. Дегенмен көпқабатты конденсатордың жасалу үрдісі қиынға соғады. Себебі әртүрлі қондыру қабаттарын алу үшін қосымша операцияларды енгізу керек. Сондай-ақ құнының қымбат болуы, сенімділіктің орталауы брак пайызын ұлғайтады. Брак пайызының ұлғаюы жиек эффектісінің үлкеюі, тығыздық пен электрлік беріктіктің азаюы болып табылады.

      Үлдірлі конденсатордың диэлектригі ретінде  әртүрлі материалдар қолдану мүмкін, бірақ ең кеңінен қолданыс тапқан материал - кремний монооксиді. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ҚОРЫТЫНДЫ 

      Қорытындылайтын болсақ, интегралды микросұлбаның конденсаторы ретінде p-n-өткізгіштің барьерлік сыйымдылығын қолданады. Бұл өткізгіш кері бағытпен ығыстырылған. Мұндай интегралды микросұлбаның пассивті элементін бір уақытта транзисторлы құрылымды құруда немесе міндетті түрде p-n-өткізгішті  транзисторлы құрылымды қолдануда ыңғайлы.

      МДП-конденсатордың диэлектригі ретінде кремний  диоксид қабаты қолданылады. Ол жартылай өткізгіштің кристалын қаптап тұрады.

      Үлдірлі конденсаторлар гибридті интегралды микросұлбаның  диэлектрлік төсенішінде жасалынады. Жасалу үрдісі  кем дегенде үш вакуумды шаңдату операциясынан  тұру керек. 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 

ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ 

1.www.google.ru

2.www.tpu.ru